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我接受測(cè)試技術(shù)
晶圓IV/CV直流測(cè)試包括:同軸(coaxial)-直流參數(shù)測(cè)量,漏電低至PA級(jí)別、三軸(triaxial)-直流參數(shù)測(cè)量,漏電低至FA級(jí)別/低噪聲,IV、CV、P-IV測(cè)試廣泛用于測(cè)量半導(dǎo)體參數(shù),尤其是晶圓級(jí)MOSFET結(jié)構(gòu)等。此外利用IV、CV、P-IV測(cè)量還可以對(duì)其它類型的半導(dǎo)體器件和工藝進(jìn)行特征分析,包括雙極結(jié)型晶體管BJT、JFET器件,光伏電池、MEMS器件、有機(jī)TFT顯示器、光電二極管、碳納米管和多種其它半導(dǎo)體器件。這類測(cè)量的基本特征非常適用于各種應(yīng)用,提高工藝和器件的性能,檢測(cè)工藝參數(shù)和失效分析機(jī)制等。
近年我國(guó)對(duì)于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重視和大力度的資源投入,其中大學(xué)實(shí)驗(yàn)室的硬件設(shè)施升級(jí)改造更新則更是重點(diǎn)投入之一,但因大學(xué)教育在資源投入配比上更多出于成本考慮,因此我們既要在預(yù)算有限的條件下,不僅要保證設(shè)備測(cè)試測(cè)量的高精度標(biāo)準(zhǔn),同時(shí)也要考慮產(chǎn)品今后的重復(fù)利用率,避免資源浪費(fèi)。SEMISHARE通過(guò)多年在大學(xué)院校積累的市場(chǎng)及合作經(jīng)驗(yàn),總結(jié)教育實(shí)驗(yàn)的探針臺(tái)設(shè)備應(yīng)有如下指標(biāo):
● 基于大學(xué)實(shí)驗(yàn)室環(huán)境要求,設(shè)備在保證高精度測(cè)試的前提下,節(jié)省設(shè)備占有空間
● 不降低專業(yè)測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)質(zhì)量前提下,提供更具有價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)力的探針臺(tái)設(shè)備
● 操作更簡(jiǎn)單方便
● 最大限度減少使用操作培訓(xùn)工作量
● 結(jié)構(gòu)穩(wěn)定,測(cè)試精度高
● 可快速獲取測(cè)量數(shù)據(jù)
● 可模塊定制,針對(duì)多種的應(yīng)用實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)易的重新配置和升級(jí)
● 適應(yīng)性強(qiáng),當(dāng)需求提高和增加時(shí),可重新進(jìn)行設(shè)備升級(jí)和功能擴(kuò)展
6inch晶圓i-v ,c-v曲線,P-iv 測(cè)試
40微米以上電極點(diǎn)測(cè),10pA 以內(nèi)漏電精度