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測(cè)試技術(shù)

晶圓高低溫測(cè)試

解決方案

晶圓高低溫測(cè)試方案

1.技術(shù)背景

隨著航空航天、汽車電子、軍用、光伏、工業(yè)自動(dòng)化等許多領(lǐng)域技術(shù)的不斷發(fā)展,芯片在各種極端溫度環(huán)境下的應(yīng)用也越來越廣泛。在芯片的研發(fā)生產(chǎn)中,晶圓高低溫測(cè)試變得越發(fā)重要。

2.需求與挑戰(zhàn)

當(dāng)前,晶圓高低溫測(cè)試較為常見的測(cè)試溫度范圍一般在-45°C至150°C區(qū)間,晶圓可靠性的測(cè)試溫度在300°C左右。當(dāng)探針臺(tái)在進(jìn)行溫度升降時(shí),就會(huì)產(chǎn)生熱膨脹與冷收縮現(xiàn)象,使探針與卡盤出現(xiàn)熱漂移從而影響探針與Pad點(diǎn)之間的對(duì)準(zhǔn),導(dǎo)致晶圓探針測(cè)試難度增大,而有些晶圓測(cè)試要求溫度環(huán)境甚至要達(dá)到500°C以上,隨著溫不斷增加,探針臺(tái)面臨更大的溫測(cè)試壓力。

SEMISHARE科技作為半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備領(lǐng)域的先進(jìn)探針臺(tái)制造商,自2011年自主研發(fā)推出國內(nèi)第一款高低溫探針臺(tái)后,就開始了在高低溫晶圓測(cè)試技術(shù)領(lǐng)域的持續(xù)研究。在工程師們長期的探索,總結(jié)出了晶圓高低溫測(cè)試面臨的主要技術(shù)難點(diǎn)

1、有效確保溫度均勻性控制

2、提高升降溫速率

3、減少高溫對(duì)其它部件的影響

3.解決方案
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